| 专利名称 | 一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法 | 申请号 | CN201310496560.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103540903A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 金平实;曹逊;周怀娟;姜萌;罗宏杰 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法 至一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法，所述薄膜材料是以金属钒、金属M、和金属N为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行磁控溅射而在衬底上形成的V2-x-yMxNyO3薄膜，其中x为0.2以下且大于零，y为0.2以下且大于零，其中掺杂元素M为W、Mo、Mg、Sb、Nb、和/或Al，掺杂元素N为Ti、Cr、和/或Zn，所述薄膜材料在80K～225K之间具有无热滞的电阻-温度回线。本发明的薄膜材料基于低成本的三氧化二钒基薄膜材料，通过调控元素掺杂含量，在基本不改变薄膜热色性能的前提下，达到消除V2O3薄膜热滞回线的目的，可望应用于低温温度计或低温空间红外探测。 |
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