| 专利名称 | 埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201310530701.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103540799A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 孙蓉;苏星松;符显珠;郭慧子 | 主分类号 | C22C19/03(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C19/03(2006.01)I;C23C18/50(2006.01)I;C23C18/30(2006.01)I;H01C7/00(2006.01)I;H01C17/18(2006.01)I | 专利有效期 | 埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法 至埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法。该埋入式电阻合金材料按质量百分比计，包括镍80～97%、钼0.1～8%和磷2～12%。将该埋入式合金材料制成埋入式电阻薄膜，经实验表明，该埋入式电阻薄膜具有较好的耐蚀性、热稳定性和抗老化性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障