| 专利名称 | 场致发射电子源的驱动控制电路 | 申请号 | CN201310476396.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531421A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 陈垚;郑海荣;胡信菊;曾成志;李彦明;张其阳;洪序达 | 主分类号 | H01J35/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J35/02(2006.01)I;H02H3/08(2006.01)I | 专利有效期 | 场致发射电子源的驱动控制电路 至场致发射电子源的驱动控制电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种场致发射电子源的驱动控制电路，包括场致发射电子源，还包括脉冲信号输入端、保护电阻、可调电阻以及开关管；所述脉冲信号输入端与所述保护电阻的一端连接，用于输入脉冲信号；所述保护电阻的另一端连接所述开关管的控制端，所述开关管的低压端接地，所述开关管的高压端与所述可调电阻的一端连接，所述可调电阻的另一端连接所述场致发射电子源的场发射阴极，所述场致发射电子源的栅控门极用于连接直流电源。本发明在IGBT的输入极（即栅极）接入保护电阻，当有过冲电流时，保护电阻两端电压增大，IGBT栅极与发射极之间的电压减小，从而抑制电流过冲。 |
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