| 专利名称 | 一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法 | 申请号 | CN201310504071.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103532008A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张锦川;刘峰奇;闫方亮;姚丹阳;王利军;刘俊岐;王占国 | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法 至一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及其制作方法。该结构包括：衬底、下波导层、下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上、有源区、上光限制层、光栅层、上波导层，该上波导层生长在该光栅层上、多孔区、二氧化硅层、正面金属电极层和背面电极层；其中该多孔区制作于该上波导层上；其中，所述的下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧为梯形斜面；该二氧化硅生长在衬底正面未被下波导层覆盖的部分和下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧形成的梯形斜面上，以及上波导层上面两侧的边缘部分。 |
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