| 专利名称 | 氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法 | 申请号 | CN201210229544.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531464A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孟令款 | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法 至氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明氮化硅薄膜高深宽比孔的刻蚀方法，首先将已经形成半导体所需图形的氮化硅薄膜的半导体器件放入刻蚀腔体内，然后采用干法等离子体工艺，通入高碳链分子碳氟基气体、氧化性气体、稀释性气体、含氢碳氟基气体，加上射频功率，激发出等离子体；经过等离子体稳定步骤后，进行氮化硅薄膜的刻蚀，直至高深宽比孔的刻蚀形貌及孔径大小及深度达到要求。发明采用独特的碳氟基气体刻蚀氮化硅薄膜，通过调节气体组分、功率大小，既可控制深孔侧壁上的碳氟聚合物的沉积量避免孔的关键尺寸变大、又可去除已沉积在深孔底部的聚合物以保证刻蚀可以继续进行，进而能够调节孔的刻蚀形貌。 |
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