| 专利名称 | 一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法 | 申请号 | CN201310500580.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531710A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;吴良才;周夕淋;吕士龙 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法 至一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变存储单元的操作速度，降低相变存储单元的操作功耗；其特征在于采用微纳加工技术（如聚焦离子束，FIB）去除一部分与加热电极相接触的相变材料层。本发明缩小了相变材料层的体积，使其与加热电极的接触面积极大的减小，三维纳米尺度得存储单元制备得以实现，使存储性能实现高速低功耗。在三维存储单元实现稳定工艺与稳定性能的基础上，在一个相同的底电极上进一步制备出4个及4个以上同等尺寸的存储单元，研究40纳米以下技术节点的高密度存储特性的串扰与存储特性，本发明可直接用于指导工程化相变存储芯片的设计、工艺、测试等，是研发与工程化联系的桥梁。 |
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