| 专利名称 | 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 | 申请号 | CN201310459347.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103529310A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 魏学成;赵丽霞;张连;于治国;王军喜;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | G01R29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R29/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 至一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法，该方法包括制作GaN基LED测试样品，利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压，对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接负电压，形成反向偏压，对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压，测量其光致发光谱，并记录其发光波长，然后分步增大反向偏压，并测量其光谱和波长，在波长由逐渐变短转为变长时，停止增大反向偏压并停止测量，利用停止测量时的反向偏压减去光电压得到所述测试样品的极化电压，根据该极化电压计算测试样品的极化电场。本发明对样品要求简单，制样方便，可以较快地获得测试结果，有利于满足生产和研发工艺中对测试数据的迫切需求。 |
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