| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210228598.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531540A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有双功函数金属栅的CMOS晶体管的制造方法，其中，在不同MOS区域，形成不同厚度的栅极材料，然后，将金属铝作为调节功函数的金属引入，通过退火工艺，利用Al停留在栅极层可以获得较低功函数、进入栅绝缘层可以获得较高功函数的特点，实现了CMOS晶体管的双功函数金属栅，简化了双功函数晶体管的集成工艺。 |
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