| 专利名称 | 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法 | 申请号 | CN201310509314.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103532010A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川 | 主分类号 | H01S5/125(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/125(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法 至基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有源区(5)和高折射率对比度光栅(低折射率(7)和高折射率材料(8))。在该外延片上采用标准光刻技术及ICP技术刻蚀露出GaAs缓冲层作为N型欧姆欧姆接触层，然后分别在高折射率材料和GaAs缓冲层上蒸发合金作为P型电极和N型电极。利用电子束曝光和ICP刻蚀技术在高折射率材料上制作亚微米级光栅，利用腐蚀液选择性腐蚀光栅下层的材料，得到低折射率的空气层。 |
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