| 专利名称 | 氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法 | 申请号 | CN201210228815.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531473A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孟令款 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 专利有效期 | 氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法 至氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法，首先在形成偏移隔离侧墙的半导体器件上，在轻掺杂漏注入及Halo工艺之后，先后沉积上氧化硅、氮化硅薄膜；然后是主刻蚀步骤：将氮化硅薄膜刻蚀到一个特定厚度；接着是过刻蚀步骤，再刻蚀余下的氮化硅薄膜并停止在下面的氧化硅薄膜上，同时将整个晶片表面余下的氮化硅刻蚀干净，从而形成氧化硅、氮化硅复合双层侧墙；其中主刻蚀步骤完成后直接转换到过刻蚀步骤。主刻蚀步骤可使ON侧墙形貌不至于太过于倾斜，从而控制侧墙底部的有效宽度，进而控制器件的栅极宽度。而过刻蚀步骤采用对氧化硅有高选择性的菜单，能使得晶片上残余的氮化硅刻蚀干净，避免对衬底造成损伤。 |
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