| 专利名称 | 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 | 申请号 | CN201310503797.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531441A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 喻颖;李密锋;贺继方;査国伟;徐建星;尚向军;王莉娟;倪海桥;贺振宏;牛智川 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 专利有效期 | 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 至基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5：在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6：在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7：在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层；步骤8：在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，进行工艺制备形成可调控多端量子器件，完成制备。 |
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