| 专利名称 | 一种用于可配置位宽RAM的读取路径选择及控制电路 | 申请号 | CN201310461216.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531228A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵岩;于芳 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于可配置位宽RAM的读取路径选择及控制电路 至一种用于可配置位宽RAM的读取路径选择及控制电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于可配置位宽RAM的读取路径选择及控制电路，该电路包括：位宽配置译码电路、地址使能译码电路、地址采样电路、地址跳转电路、路径选择控制电路以及读取路径选择电路。采用了可配置的电路设计控制读取路径的位宽，即RAM的读取路径的位宽可以根据配置信号来决定。这样是得RAM可以更加方便的应用与FPGA等可配置器件中。本发明的读取路径的可配置位宽的最大位数可达到32位，扩展了RAM的实用范围，使得RAM具有了快速读取数据的功能。 |
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