| 专利名称 | 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法 | 申请号 | CN201310485162.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103529658A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孔庆峰;郭金霞;马平;王丽;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法 至在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法。该方法包括：步骤A，在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围，制备对准标记；步骤B，在第一次曝光工艺中，利用掩模板上的对准标记，将方形晶圆限定在预设区域内，由掩模图形对方形晶圆进行曝光；以及步骤C，在第二次曝光工艺以及后续曝光工艺中，利用前一次光刻工艺留下的对准标记对方形晶圆进行对准。本发明简单可靠、易于实现，可保证方形晶圆边沿管芯完整，提高芯片产能。 |
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