| 专利名称 | 低噪声CMOS集成参考电压产生电路 | 申请号 | CN201210228115.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103529889A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院声学研究所 | 发明（设计）人 | 孙泉;乔东海;齐敏;汤亮 | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 专利有效期 | 低噪声CMOS集成参考电压产生电路 至低噪声CMOS集成参考电压产生电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低噪声CMOS集成参考电压产生电路。该电路包括：低噪声带隙基准源产生电路，包括一个斩波放大器，所述低噪声带隙基准源产生电路用于产生低噪声带隙基准源；正参考电压产生电路，包括一个由斩波放大器，MOS管及电阻构成的负反馈电路，所述正参考电压产生电路用于从所述带低噪声隙基准源产生正参考电压；负参考电压产生电路，包括一个由斩波放大器，MOS管，电流源及电阻构成的负反馈电路，所述负参考电压产生电路用于从所述正参考电压产生与所述正参考电压对称的负参考电压。本发明采用CMOS工艺，与主流的集成电路工艺兼容，能够有效地降低成本。并且在电路布局中采用斩波技术产生一对低噪声且对称性良好的参考电压。 |
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