| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210229040.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531474A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;赵超 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种FinFET半导体器件制造方法，鳍状半导体柱被形成为多条平行排列，多条平行排列的栅极与之相交。全面性地沉积多晶硅层，并将其转变成单晶硅层，使该单晶硅层与鳍状半导体柱本质上成为一体，这相当于抬升了鳍状半导体柱中的源漏区域，并且扩展了鳍状半导体柱的顶部面积；之后，使位于鳍状半导体柱顶面以上的单晶硅层转化而形成金属硅化物，从而形成源漏区域接触。本发明的源漏区域接触较常规FinFET中的源漏区域接触的面积更大，使得接触电阻减小，并且有利于后续工艺中的自对准金属插塞的形成。 |
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