| 专利名称 | 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 | 申请号 | CN201310491719.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531250A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;王国明;张美芸;李阳;王明;许晓欣;刘若愚;李丛飞;刘红涛;孙鹏霄;吕杭炳;刘琦;刘明 | 主分类号 | G11C29/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C29/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 至一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源向待测RRAM器件发出脉冲时，捕获脉冲图形；示波器具有第一通道和第二通道，第一通道具有第一内阻R1，第二通道具有第二内阻R2，待测RRAM器件与示波器第二通道的第二内阻R2串联，脉冲源与待测RRAM器件连接，示波器的第一通道并联连接于待测RRAM器件与第二内阻R2的串联支路。利用本发明，解决了RRAM器件在脉冲测试过程中不能限流的问题，使RRAM器件在脉冲测试时得到稳定的脉冲测试电压，而不会因编程或擦除后影响整个电路的稳定。 |
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