| 专利名称 | 制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法 | 申请号 | CN201310503124.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103531679A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 喻颖;査国伟;徐建星;尚向军;李密锋;倪海桥;贺振宏;牛智川 | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法 至制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，该GaAs纳米线的顶端形成一Ga液滴；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的轴向VLS生长，形成六棱柱状结构；步骤5：在六棱柱状结构的侧壁淀积第一AlGaAs势垒层，在AlGaAs势垒层的表面低速淀积GaAs量子点；步骤6：在GaAs量子点上覆盖第二AlGaAs势垒层；步骤7：在第二AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，完成制备。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障