| 专利名称 | 具有快速电子传输性能的三维枝状二氧化钛阵列的制法 | 申请号 | CN201310456235.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103523827A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 盛夏;封心建 | 主分类号 | C01G23/053(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G23/053(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 具有快速电子传输性能的三维枝状二氧化钛阵列的制法 至具有快速电子传输性能的三维枝状二氧化钛阵列的制法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有快速电子传输性能的三维枝状二氧化钛阵列的制法，包括：（1）采用水热法在沉积有TiO2晶种层的导电基底表面生长具有快速电子传输性能的一维纳米TiO2棒阵列；（2）对步骤（1）所获得的一维纳米TiO2棒阵列进行表面处理之后，采用无种子层的水浴法在其上外延生长三维枝状结构；（3）对步骤（2）所获具有三维枝状结构的样品依次进行氧等离子体清洗、氧气氛烧结处理，获得三维枝状TiO2阵列纳米结构。本发明工艺操作简单，成本低廉，可控性强，并且所获TiO2阵列晶界和缺陷较少，具有高的电子传输速率和大的比表面积，可用于光电器件的光阳极，并极大提高器件的性能，具有良好的应用前景。 |
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