| 专利名称 | 一种石墨烯的制备方法 | 申请号 | CN201310492787.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103523770A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 狄增峰;王刚;陈达;陆子同;叶林;郑晓虎;张苗;丁古巧;谢晓明 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯的制备方法 至一种石墨烯的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种石墨烯的制备方法，该石墨烯的制备方法至少包括步骤：首先，提供一SiC基底；接着，采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；最后，对上述形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键，断键后的Si和注入的Ge形成SiGe，断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。本发明只需要常压或低压以及低温就能够制备出石墨烯，对制备仪器的要求较低，并且节约能源、减少成本，适用于工业化生产。 |
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