| 专利名称 | 一种金纳米棒垂直阵列及其制备方法 | 申请号 | CN201210206173.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103506629A | 公开（授权）日 | 2014.01.15 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 葛广路;魏文博 | 主分类号 | B22F9/24(2006.01)I | IPC主分类号 | B22F9/24(2006.01)I;C30B7/00(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金纳米棒垂直阵列及其制备方法 至一种金纳米棒垂直阵列及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金纳米棒垂直阵列的制备方法以及通过该方法得到的金纳米棒垂直阵列。该方法包括：1）制备三甲基十六烷基溴化铵修饰的金纳米棒的水溶液，并通过离心复溶处理，使得所述水溶液中的三甲基十六烷基溴化铵的浓度为5-20umol/L，且金纳米棒的浓度为0.5-2nmol/L；2）将碳原子数为1-3的一元醇与碳原子数为9-12的烷基硫醇的混合液，与步骤1）得到的所述水溶液接触；3）将氯仿和/或二氯乙烷与步骤2）得到的混合液进行混合后，并静置，得到金纳米棒垂直阵列。采用本发明提供的方法，不仅能够获得毫米级超大规模且阵列结构规整的金纳米棒垂直阵列，而且还具有易于操作、条件温和、结构均一度高等优点。 |
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