| 专利名称 | 面向片上集成的热电器件制备方法 | 申请号 | CN201310503144.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103515524A | 公开（授权）日 | 2014.01.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王珍;祁洋洋;张明亮;杨富华;王晓东 | 主分类号 | H01L35/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/34(2006.01)I | 专利有效期 | 面向片上集成的热电器件制备方法 至面向片上集成的热电器件制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种面向片上集成的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积第一绝缘材料层；光刻形成纳米线结构；去除纳米线结构上的第一绝缘材料层并填充第二绝缘材料层；回刻；去除纳米线结构一侧周围的第二绝缘材料层；在基片上淀积第三绝缘材料层，并开孔，在开了孔的基片上淀积第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，使其暴露出部分第三绝缘材料层；在具有上下电极的基片上淀积第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法在第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。 |
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