| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210206401.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103515232A | 公开（授权）日 | 2014.01.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑;赵超;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：a）在半导体衬底上形成栅极堆叠，并去除栅堆叠两侧的部分衬底；b）在所述栅极堆叠及其下方的衬底的部分的侧壁上形成侧墙；c）在栅极堆叠两侧的衬底中形成掺杂区，并形成覆盖整个半导体结构的第一介质层；d）在栅极堆叠的宽度方向上选择性去除部分栅极堆叠以及部分第一介质层，形成沟道区开口及其两侧的源漏区开口；e）在沟道区开口的侧壁上形成高k介质层；f）外延生长形成连续的跨沟道区开口和源漏区开口的鳍结构。相应的，本发明还提供一种根据上述方法制造的半导体结构。本发明能够简单、高效地形成用于隔离栅极堆叠和源/漏区的高质量侧墙。 |
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