| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210214775.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103515283A | 公开（授权）日 | 2014.01.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘佳;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件制造方法，制造了一种局部隔离的FinFET器件结构，形成的FinFET源漏区位于回填的绝缘材料之上，而并不于半导体衬底直接相连，鳍状半导体柱中仅有沟道区与半导体衬底相连接，这降低了器件的泄漏电流，解决了源漏穿通问题，避免了自加热效应；制造方法中采用了多层非共形硬掩模层，使得器件结构的侧壁被暴露出而顶部表面被保护；并且，通过首先定义栅极图形和位置，再实施源漏局部隔离工艺(包括局部刻蚀和回填)，这样，实现了在衬底上形成部分绝缘的自对准工艺，降低了整个流程的复杂性，使制造方法简化并有效。 |
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