| 专利名称 | 集成型双带CMOS数字图像传感器 | 申请号 | CN201310441645.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103515406A | 公开（授权）日 | 2014.01.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 陈沁 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 专利有效期 | 集成型双带CMOS数字图像传感器 至集成型双带CMOS数字图像传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种集成型双带CMOS数字图像传感器，包括主要由硅基可见光传感器阵列与太赫兹热传感器阵列在垂直于所述传感器表面的方向纵向集成形成的集成结构，所述集成结构包括沿设定方向依次设置的硅衬底、隔离层、金属底层、介质层、金属顶层和热敏材料层；其中，至少所述金属底层的局部区域具有至少可用作可见光的彩色滤波器和太赫兹波的反射层的周期性纳米结构，至少所述金属顶层的局部区域具有至少可用作太赫兹波的表面阻抗匹配层的周期性微米结构；并且所述反射层、表面阻抗匹配层与介质层配合形成具有近完全吸收特性的太赫兹超材料结构。本发明同时具有可见光成像与太赫兹成像功能，而且集成性架构还具有体积小、低成本、高效率等优点。 |
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