| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210210600.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103515233A | 公开（授权）日 | 2014.01.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;钟汇才 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成第一掩蔽层；以第一掩蔽层为掩模，形成带应力的源区和漏区之一；在衬底上形成第二掩蔽层，并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；去除第二掩蔽层的一部分，所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个；形成栅介质层，并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。 |
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