| 专利名称 | 一种高纯碳化硅原料的制备方法 | 申请号 | CN201210202086.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103508454A | 公开（授权）日 | 2014.01.15 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈建军;王辉;孔海宽;忻隽;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 | 主分类号 | C01B31/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高纯碳化硅原料的制备方法 至一种高纯碳化硅原料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600-1400℃的高温氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800-1600℃高温真空脱气，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理，得到高纯碳化硅原料。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障