| 专利名称 | 一种液相外延衬底化学抛光系统 | 申请号 | CN201320360968.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203380705U | 公开（授权）日 | 2014.01.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张娟;魏彦锋;孙权志;孙瑞赟;陈倩男 | 主分类号 | B24B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B24B1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种液相外延衬底化学抛光系统 至一种液相外延衬底化学抛光系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽，并设置警铃提醒，当衬底厚度达到预定目标时就会有警铃响起，提醒操作者取出衬底。本专利的优点在于：抛光系统可以精确控制衬底厚度，消除了衬底厚度对碲镉汞水平液相外延层质量的影响。 |
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