| 专利名称 | 提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法 | 申请号 | CN201310470086.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103500703A | 公开（授权）日 | 2014.01.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张礼杰;朱大鸣;戴宁 | 主分类号 | H01L21/263(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/263(2006.01)I | 专利有效期 | 提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法 至提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法，它利用电子束辐照提高了CdS和CdSe低维纳米材料电导率和光电流。本发明的方法简单、可控，且所需的电子束能量低（0.2-30keV），用扫描电子显微镜即可实现。在高真空环境中（优于1×10-3Pa），利用该方法能极大幅度提高CdS和CdSe低维纳米材料的电导率（>105倍）和光电流（达5倍）。 |
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