| 专利名称 | 基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法 | 申请号 | CN201310470180.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103500765A | 公开（授权）日 | 2014.01.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈建新;王芳芳;徐志成;周易;徐庆庆 | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法 至基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀一直处于打开状态，阀位大小与生长InAs层时相同，使得在生长GaSb层和InSb界面层时由于部分As的流出而形成了GaAsSb和InAsSb三元化合物。其特点在于：由于各层中都有共同元素As存在，使得各层的生长温度趋于一致，并使得界面处的互扩散减少。此外，As原子表面活性剂作用，增加了Sb原子的迁移率，降低了Sb团簇的形成几率，减少了材料本身的缺陷，提高了材料性能。 |
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