| 专利名称 | 一种制备纳米器件的方法 | 申请号 | CN201310491769.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103500701A | 公开（授权）日 | 2014.01.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;张美芸;王国明;李阳;王明;许晓欣;刘若愚;李丛飞;刘红涛;孙鹏霄;刘琦;吕杭炳;刘明 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种制备纳米器件的方法 至一种制备纳米器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备纳米器件的方法，包括：在绝缘衬底上沉积一层金属薄膜，形成粘附层；在金属薄膜上沉积一层金属薄膜，形成金属下电极；在金属下电极上沉积一层氧化物材料；在氧化物材料上沉积一层金属薄膜，形成金属上电极；在金属上电极与金属下电极上加电压进行电压扫描，在氧化物材料中形成导电细丝，器件处于低阻态；在金属上电极与金属下电极上重新加相同方向或者反方向电压进行电压扫描，使氧化物材料中的导电细丝逐渐变细直至断裂，器件由低阻态向高阻态转化，器件在低阻态与高阻态之间存在一个中间态，选择合适的停止电压，使器件的中间态处于量子电导附近，形成纳米器件。利用本发明，简化了制备工艺、提高了与传统CMOS工艺的兼容性。 |
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