| 专利名称 | 一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法 | 申请号 | CN201310473279.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103500707A | 公开（授权）日 | 2014.01.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁 | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法 至一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法，包括：对InP基RFIC晶圆进行清洗；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行电极图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作金属电极；对InP基RFIC晶圆进行清洗；对InP基RFIC晶圆进行快速合金；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行引线图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作引线金属；将InP基RFIC晶圆连入导线；对InP基RFIC晶圆进行电化学抛光；对InP基RFIC晶圆进行剥离，完成减薄抛光。本发明有效的避免了机械减薄造成的损伤，实现了减薄抛光过程中的应力释放，实现了衬底抛光面的镜面效果，为解决InP超薄厚度的减薄抛光工艺难题提供了新的解决手段。 |
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