| 专利名称 | 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法 | 申请号 | CN201310397762.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103500798A | 公开（授权）日 | 2014.01.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王凤霞;潘革波 | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;G01N27/414(2006.01)I | 专利有效期 | 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法 至基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法。该气体传感器包括基底层、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述栅绝缘层与有源层连接，栅绝缘层与有源层设置于基底层之间，栅电极、源电极和漏电极分别设置于基底层上，所述栅绝缘层由具有微结构的绝缘材料组成；所述具有微结构的绝缘材料为氧化物或绝缘聚合物。本发明通过在绝缘材料上构造微结构而制备栅绝缘层，当往上述微结构的栅绝缘层里通入气体时，栅绝缘层的电容发生变化，进而引起场效应晶体管性能的改变，从而达到气体检测的目的。本发明的气体传感器检测范围广，可实现多种气体的检测。得到的气体传感器的体积小，可以减小检测器件的体积和成本，有较好的应用前景。 |
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