| 专利名称 | 硅转接板结构及其圆片级制作方法 | 申请号 | CN201310492853.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103500729A | 公开（授权）日 | 2014.01.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 叶交托;陈骁;朱春生;徐高卫;罗乐 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 专利有效期 | 硅转接板结构及其圆片级制作方法 至硅转接板结构及其圆片级制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。 |
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