| 专利名称 | 一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用 | 申请号 | CN201310455344.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103482589A | 公开（授权）日 | 2014.01.01 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 何军;曹金利;王振兴 | 主分类号 | C01B19/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C23C16/30(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用 至一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用，所述一维硒化锡纳米阵列由沿同一方向生长并呈阵列状排列的硒化锡纳米线组成。本发明的一维硒化锡纳米阵列是采用化学气相沉积法、以硒化锡为原料并在催化剂作用下沉积得到的，可用于NTC热敏电阻中，具有优异的负温度系数。本发明制备一维硒化锡纳米阵列的方法具有低成本、合成步骤简单、速度快、结晶性好、形貌可控的优点。 |
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