| 专利名称 | 一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途 | 申请号 | CN201310451286.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103484833A | 公开（授权）日 | 2014.01.01 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 宋志伟;褚卫国 | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途 至一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途。所述超厚膜材料的厚度为28μm以上，膜应力低于100MPa。将处理好的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，抽真空后加热衬底，供给气源并增加功率，在一定气压下使腔体内混合气体产生等离子体，沉积到衬底表面。所述超厚膜材料具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性，可以作为绝缘层、保护膜或光学膜，广泛应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域，有助于微纳器件研究领域的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。 |
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