| 专利名称 | 一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器 | 申请号 | CN201310406865.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103489953A | 公开（授权）日 | 2014.01.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 崔荣;杨晓红;李彬;尹伟红;吕倩倩;韩勤 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I | 专利有效期 | 一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器 至一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD)，该雪崩光电探测器包括：衬底；形成于衬底之上的单模传输光波导，用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输，并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层；形成于单模传输光波导之上的光匹配层，用于实现光功率从单模传输光波导高效率消逝场耦合到APD吸收层中，并将光限制在APD吸收层中被完全吸收；以及形成于光匹配层之上的APD台面，采用分离吸收电荷倍增区的结构，与波导结构集成可实现高速高响应度的光探测。本发明通过将具有内部增益以及高灵敏度的APD与消逝场耦合的单模波导结构集成，解决了普通探测器光损耗大、灵敏度低、响应度与带宽相互制约以及不利于片上光互连等问题。 |
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