| 专利名称 | 一种非对称沟道量子点场效应光子探测器 | 申请号 | CN201310473487.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103489937A | 公开（授权）日 | 2014.01.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨晓红;聂诚磊;史章淳;倪海桥;韩勤 | 主分类号 | H01L31/0232(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;G01J11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非对称沟道量子点场效应光子探测器 至一种非对称沟道量子点场效应光子探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非对称沟道量子点场效应光子探测器，所述光子探测器基于源漏沟道结构，且源漏沟道为非对称结构，所述源漏沟道的导电率由源漏电压进行自调控，光探测的敏感区域位于源漏沟道的中心。所述光子探测器的外延结构自衬底向上包括二维电子气形成层或二维电子空穴形成层、光吸收层、量子点电荷限制层和表面盖层，所述二维电子气形成层包括异质结和掺杂层。器件高灵敏度光传感功能在于：源漏之间几十到百纳米量级的导电通道的宽度将受到源漏电压的自身调控，二维电子气的临近位置的量子点在有光入射的情况下将限制单个的电荷，这将极大改变纳米沟道的开关状态，形成沟道电导的巨大变化，从而完成高灵敏度光探测。 |
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