| 专利名称 | 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 | 申请号 | CN201310407479.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103489968A | 公开（授权）日 | 2014.01.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 冯向旭;张宁;刘乃鑫;付丙磊;朱绍歆;张连;魏同波;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 专利有效期 | 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 至利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延衬底；步骤2：在外延衬底上外延一致密薄层，该致密薄层作为后续氮化镓外延的成核层；步骤3：暂停生长，使致密薄层发生分解，得到疏松薄层；步骤4：在疏松薄层上，外延氮化镓薄膜。本发明的方法是采用AlInGaN四元合金作为氮化镓外延的成核层，利用In原子的易析出特性生成非致密的AlInGaN外延层来释放来自晶格失配的应力，从而获得高质量的氮化镓外延薄膜。 |
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