| 专利名称 | InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 | 申请号 | CN201310424535.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103487883A | 公开（授权）日 | 2014.01.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 吕倩倩;韩勤;崔荣;李彬;尹伟红;杨晓红 | 主分类号 | G02B6/136(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/136(2006.01)I;G02B6/42(2006.01)I | 专利有效期 | InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 至InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法，所述InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底的中间部位，其形状为铲子形，一端为铲子的头部，另一端为柄部；铲形头部的前半部分为矩形结构，后半部分的宽度逐渐减小并对接到柄部；一芯层，其制作在下包层的上面，其形状与下包层一致；一上包层，其制作在芯层柄部的上面及铲子头部的后半部分，且其形状为条状结构。本发明可以解决边入射器件中与光纤耦合效率较低的问题。 |
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