用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻

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专利名称 用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻 申请号 CN201310398877.6 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103484840A 公开(授权)日 2014.01.01 申请(专利权)人 中国科学院深圳先进技术研究院 发明(设计)人 孙蓉;苏星松;符显珠;郭慧子 主分类号 C23C18/30(2006.01)I IPC主分类号 C23C18/30(2006.01)I;C23C18/34(2006.01)I;H01C7/00(2006.01)I 专利有效期 用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻 至用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻。该用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂包括水、硫酸锌、DL-苹果酸钠和锌粉,其中,所述硫酸锌的浓度为20~200g/L、所述DL-苹果酸钠的浓度为10~50g/L、所述锌粉的浓度为5~30g/L。该活化剂不含有氯和钯。经实验证明,采用该活化剂对衬底进行活化后,能够在较低温度下在衬底上化学镀制镍磷薄膜,能耗较低,且不在化学镀液中引入氯,保证了镀液的稳定性。使用上述活化剂进行活化,有利于降低埋入式薄膜电阻的制备成本,并由于保证了镀液的稳定性,有利于保证镍磷薄膜的质量,从而保证埋入式薄膜电阻具有较好的性能。

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