| 专利名称 | 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法 | 申请号 | CN201310419636.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103484024A | 公开（授权）日 | 2014.01.01 | 申请（专利权）人 | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 梁晨亮;王良咏;宋志棠;刘卫丽;秦飞 | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法 至一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒1-50wt%；余量为pH调节剂和水性介质；其中所述氧化物抛光颗粒为胶体二氧化硅；制备过程中：先制备硅酸水溶液，然后取所述硅酸水溶液加热至沸15-60min，继而3分钟内“速冷”至20~50℃，然后重新加热至沸，然后持续滴入前述制备的硅酸水溶液制得胶体二氧化硅溶液，然后过滤、浓缩得到硅溶胶；继而加水性介质稀释并用pH调节剂调节酸碱性即制得所述化学机械抛光液；将所述抛光液应用于半导体中氧化硅介电材料的CMP工艺领域中，具有大大提高氧化硅薄膜去除速率的特点。 |
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