| 专利名称 | 一种三维互连结构及其制备方法 | 申请号 | CN201310456142.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103474417A | 公开（授权）日 | 2013.12.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李君;曹立强;戴风伟 | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三维互连结构及其制备方法 至一种三维互连结构及其制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种三维互连结构及其制备方法，通过在半导体衬底的正面形成梯形槽，然后在梯形槽的斜面上布设至少一层正面金属布线层，然后，研磨半导体背面使位于所述梯形槽斜面上的靠近所述梯形槽底部的各层正面金属布线层暴露，接着在半导体背面以及暴露的正面金属布线层下方形成至少一层背面金属布线层。位于半导体正面的金属布线层和位于半导体背面的金属布线层通过梯形槽上的金属布线层实现了电连接。在本发明提供的三维互连结构中，位于梯形槽斜面上的正面金属布线层相当于传输带，可以实现在半导体正面、梯形槽斜面以及半导体背面之间形成阻抗相同或相近的互连线，能够克服由于阻抗不匹配而引起的信号反射大的问题。 |
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