| 专利名称 | 一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法 | 申请号 | CN201310447610.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103474386A | 公开（授权）日 | 2013.12.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;狄增峰;薛忠营;叶林;王刚;母志强 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法 至一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，包括步骤：1）于SOI的顶硅层表面形成C掺杂SiGe调制层；2）于所述C掺杂SiGe调制层表面形成SiGe材料层；3）于所述SiGe材料层表面形成Si帽层；4）对上述结构进行氧化退火，以氧化所述Si帽层，并逐渐氧化所述SiGe材料层、C掺杂SiGe调制层及顶硅层，使所述SiGe材料层及C掺杂SiGe调制层中的Ge向所述顶硅层扩散并逐渐浓缩，最终形成顶SiGe层或顶Ge层以及上方的SiO2层；5）去除所述SiO2层。本发明利用C掺杂SiGe调制层减小SOI顶硅层和外延的SiGe材料层之间的晶格失配，从而减小浓缩过程中缺陷的产生。本发明所制备的SGOI具有高弛豫、低缺陷密度、高Ge组分等优点。 |
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