| 专利名称 | 带补偿功能的多通道ISFET传感器读出电路 | 申请号 | CN201210186726.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103472114A | 公开（授权）日 | 2013.12.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 吴其松;杨海钢;程小燕;尹韬 | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | 专利有效期 | 带补偿功能的多通道ISFET传感器读出电路 至带补偿功能的多通道ISFET传感器读出电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种带补偿功能的多通道ISFET传感器阵列的读出电路。该读出电路用于检测待测溶液中的离子浓度，其包括多个ISFET传感器读出电路，每个ISFET传感器读出电路构成一个检测通道，所述每个ISFET传感器读出电路具有补偿端口，该补偿端口用于接收由外部系统提供的补偿信号，以对所述ISFET传感器的非理想特性进行修正。本发明采用多通道检测方式，能够对ISFET阵列传感器的多种参数进行快速检测，检测方式可根据系统需要进行并行或串行输出。 |
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