| 专利名称 | 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法待测碳化硅粉体样品的前处理方法 | 申请号 | CN201310422724.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103471890A | 公开（授权）日 | 2013.12.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 汪正;周慧;朱燕;李青 | 主分类号 | G01N1/28(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N1/28(2006.01)I | 专利有效期 | 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法待测碳化硅粉体样品的前处理方法 至激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法待测碳化硅粉体样品的前处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法待测碳化硅粉体样品的前处理方法，通过所述前处理方法将所述碳化硅粉体样品制成适合通过激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定的块状样品，所述前处理方法包括：（1）将碳化硅粉末研磨后过筛；（2）直接使用手动压片机将过筛后的碳化硅粉末压成圆片，其中压力为8～12Mpa，保压时间为30～50秒；（3）将所述圆片程序升温至1000℃保温烧结2小时；以及（4）程序降温至室温。 |
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