| 专利名称 | 超薄膜场效应晶体管传感器及其应用 | 申请号 | CN201310384397.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103472116A | 公开（授权）日 | 2013.12.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 孟青;张凤娇;臧亚萍;邹业;狄重安;胡文平;朱道本 | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/414(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 超薄膜场效应晶体管传感器及其应用 至超薄膜场效应晶体管传感器及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种超薄膜场效应晶体管及其应用。该晶体管传感器，包括栅极层、绝缘层、有机传感层、源电极和漏电极；所述晶体管传感器的结构为如下结构a（底栅顶接触式）或b（底栅底接触式）：结构a：所述绝缘层位于所述栅极层之上；所述有机传感层位于所述绝缘层之上；所述源电极和漏电极位于同一层，且均位于所述有机传感层之上。构成所述有机传感层的材料为式I所示化合物。该晶体管传感器在常温下即可对氨气做出快速、灵敏的传感响应，选择性高、可恢复，检测限达到0.1ppm，是目前最灵敏的氨气传感器之一，制作成本廉价、工艺简单、易于器件小型化和集成化，适合较大规模生产。式I。 |
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