| 专利名称 | 包覆二维原子晶体的基材、其连续化生产线及方法 | 申请号 | CN201310390352.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103469203A | 公开（授权）日 | 2013.12.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 王钰;陈运法 | 主分类号 | C23C28/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C28/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 专利有效期 | 包覆二维原子晶体的基材、其连续化生产线及方法 至包覆二维原子晶体的基材、其连续化生产线及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种包覆二维原子晶体的基材、其连续化生产线及方法。所述包覆二维原子晶体的基材的连续化生产线包括依次连接的设有第一卷辊（11）的放卷室（1）、磁控溅射室（6）、电感耦合-化学气相沉积室（2）、冷却室（3）以及设有第二卷辊（41）的收卷室（4）。本发明提供的包覆二维原子晶体的基材的连续化生产线能够实现包覆二维原子晶体的基材的连续化生产，制备效率高，降低了包覆二维原子晶体的基材的生产成本，生产过程条件可控，工艺条件稳定，重复性高；制备得到的包覆二维原子晶体的基材抗腐蚀和抗机械冲击力得到提高。 |
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