| 专利名称 | 一种利用碳酸氢钠控制过饱和度生产沉淀二氧化硅的方法 | 申请号 | CN201310382894.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103466637A | 公开（授权）日 | 2013.12.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 李志宝;曾艳 | 主分类号 | C01B33/113(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/113(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用碳酸氢钠控制过饱和度生产沉淀二氧化硅的方法 至一种利用碳酸氢钠控制过饱和度生产沉淀二氧化硅的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种利用碳酸氢钠控制过饱和度生产沉淀二氧化硅的方法，以石英砂和纯碱为原料，首先经过煅烧、碳酸钠溶液溶解制备硅酸钠溶液，再将硅酸钠溶液与碳酸氢钠溶液反应，通过控制反应结晶过饱和度的方法析出水合二氧化硅沉淀，过滤得到的沉淀经洗涤、干燥等步骤最终得到沉淀二氧化硅产品，即白炭黑。过滤后的滤液即碳酸钠溶液，分为三部分循环利用：一部分吸收从煅烧工段来的二氧化碳以制备结晶反应所需的浓碳酸氢钠溶液；一部分用于溶解固态硅酸钠；最后一部分蒸发浓缩后返回至石英砂煅烧工段。本发明得到的沉淀二氧化硅产品纯度高，粒度分布均匀，且整个生产流程物料循环利用，克服了常规生产中硫酸钠污水排放的问题。 |
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