| 专利名称 | 抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 | 申请号 | CN201310439034.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103475359A | 公开（授权）日 | 2013.12.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生;郝乐 | 主分类号 | H03K19/0948(2006.01)I | IPC主分类号 | H03K19/0948(2006.01)I | 专利有效期 | 抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 至抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器，输入端连接输入信号，输出信号连接第一传输门数据输入端；第二缓冲器，输入端连接输入信号，输出信号连接第二传输门数据输入端；第一传输门的数据输出信号，连接第二传输门的数据输出端和第一反相器输入端；第一反相器输出信号连接第二反相器输入端，第一传输门中NMOS管和第二传输门中PMOS管栅极；第二反相器输出信号连接第一传输门中PMOS管和第二传输门中NMOS管栅极，并作为抗单粒子电路输出信号。本发明利用不同上/下拉能力的缓冲器分别滤除两类单粒子脉冲，通过控制传输门输出对应信号，具有MOS管数量少，抗单粒子瞬态脉冲能力强、滤除效果好等优点。 |
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