| 专利名称 | 氮在碳网格上的少量掺杂生长金属性单壁碳纳米管的方法 | 申请号 | CN201310393548.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103466597A | 公开（授权）日 | 2013.12.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 侯鹏翔;宋曼;刘畅;成会明;石超 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 氮在碳网格上的少量掺杂生长金属性单壁碳纳米管的方法 至氮在碳网格上的少量掺杂生长金属性单壁碳纳米管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及金属性单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种氮在碳网格上的少量掺杂生长高质量、金属性单壁碳纳米管的方法。以有机气态烃为碳源气体，以氢气为载气，以二茂铁为催化剂前驱体，以硫粉为生长促进剂，以三聚氰胺或者尿素等含氮有机物为氮源；在一定温度下同时进行单壁碳纳米管的生长和氮元素的掺杂，通过调控实验条件实现了氮元素在碳网格上的掺杂，最终获得高质量、金属性的单壁碳纳米管宏量样品。本发明实现了金属性单壁碳纳米管大量、直接控制生长，克服了现有化学和物理方法分离过程中对单壁碳纳米管本征结构破坏严重、过程复杂、而直接通过氮掺杂制备金属性单壁碳纳米管方法中引入结构缺陷等问题。 |
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